1.潔凈室內(nèi)溫濕度的控制。
潔凈空間的溫濕度主要根據(jù)工藝要求確定,但在滿足工藝要求的情況下,應考慮人的舒適性。隨著空氣清潔度要求的提高,工藝對溫濕度的要求越來越嚴格。
未來將列出具體工藝的溫度要求,但作為一般原則,由于加工精度越來越精細,對溫度波動范圍的要求越來越小。例如,在大型集成電路的光刻曝光過程中,對玻璃和硅片的熱膨脹系數(shù)的要求越來越小。
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硅片直徑100um,溫度升高1度,導致0.24um線性膨脹。因此,必須有±0.1度恒溫,濕度值一般較低,因為出汗會污染產(chǎn)品,特別是害怕鈉的半導體車間,不得超過25度。
濕度過高會導致更多的問題。當相對濕度超過55%時,冷卻水管壁會結露。如果發(fā)生在精密裝置或電路中,會造成各種事故。當相對濕度為50%時,很容易生銹。此外,當濕度過高時,附著在硅片表面的灰塵會通過空氣中的水分子化學吸附在表面,難以去除。
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相對濕度越高,附著力越難去除。但當相對濕度低于30%時,由于靜電的作用,顆粒容易吸附在表面,大量半導體器件容易穿透。硅片生產(chǎn)的溫度范圍為35-45%。
2.潔凈室氣壓規(guī)定。
對于大多數(shù)清潔空間,為了防止外部污染,內(nèi)部壓力(靜壓)高于外部壓力(靜壓)。壓差的維護一般應符合以下原則:
1).潔凈空間的壓力高于非潔凈空間。
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2).清潔度高的空間壓力高于相鄰清潔度低的空間壓力。
3).相通潔凈室之間的門應開到潔凈度高的房間。
壓差的維持取決于新風量,可以補償壓差下間隙泄漏的風量。因此,壓差的物理意義是通過潔凈室各種間隙泄漏(或滲透)的阻力。
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